9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V3PAL45-M3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V3PAL45-M3/I参考价格为0.51000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V3PAL45-M3/I封装/规格：DIODE SCHOTTKY 3A 45V DO-221BC。您可以下载V3PAL45-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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V3P6-M3/84A是DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-220AA的包装盒，该DO-220A提供了表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为900μA@60V，该器件提供630mV@3A电压正向Vf Max If，该器件具有60V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为2.4A（DC），电容Vr F为250pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
V3PAL45HM3_A/I，带有用户指南，包括540mV@3A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-221BC（SMPA）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、TMBSR以及磁带和卷轴（TR）包装，该器件也可用作DO-221BC、SMA扁平引线暴露焊盘封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为450μa@45V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为450pF@4V，1MHz。
V3P6-M3/85A是二极管肖特基60V 2.4A DO220AA，包括250pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于2.4A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于900μa@60V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为60V，正向电压Vf最大值为630mV@3A。
