9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGL34KHE3/98，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGL34KHE3/98参考价格为0.43000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGL34KHE3/98封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213。您可以下载RGL34KHE3/98英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGL34K-E3/83是DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001270盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-213AA（玻璃），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-213AA（GL34）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@500mA，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500 mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为250ns。
RGL34K-E3/98是DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213，包括800V Vr反向电压，其设计为在500MA电压下以1.3V的正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max，该800V提供了1.3 V的正向电压特性，单位重量设计为0.001270盎司，以及DO-213AA（GL34）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供250ns反向恢复时间trr，该设备具有250ns的恢复时间，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为10 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500 mA，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为500 mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
RGL34K-E3/82，电路图由VISHAY制造。RGL34K-E3/82采用LL34封装，是IC芯片的一部分。
