9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N5625，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N5625参考价格$1.42000。NTE Electronics，Inc 1N5625封装/规格：R-400 PRV 3A。您可以下载1N5625英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5624-TR是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于SOD-64，轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如SOD-64、速度设计用于标准恢复＞500ns、＞200mA（Io）、，与雪崩二极管类型一样，该器件也可以用作1μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@3A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为7.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
1N5624GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
1N5624-TAP是二极管AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括60pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供雪崩等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作SOD-64轴向封装外壳。此外，封装为磁带盒（TB），该器件提供7.5μs反向恢复时间trr，该器件的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商器件封装为SOD-64，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@3A。
