9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N5626，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N5626价格参考1.49000美元。NTE Electronics，Inc 1N5626封装/规格：R-600 PRV 3A。您可以下载1N5626英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5625GP-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1V@3A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为5μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为3000ns。
1N5625-TR是DIODE AVLANCHE 400V 3A SOD64，包括1V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-64的供应商设备包，该SOD-64提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在3μs内工作，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作SOD-64轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
1N5625GPHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1V@3A。
1N5625-TAP是二极管AVLANCHE 400V 3A SOD64，包括通孔安装型，它们设计用于磁带盒（TB）封装，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供封装外壳功能，如SOD-64、轴向、供应商器件封装设计用于SOD-64以及雪崩二极管型，该器件还可以用作7.5μs反向恢复时间trr。此外，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，设备具有400V的电压DC反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@3A。
