9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BYG10J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG10J价格参考$0.03930。Diotec Semiconductor BYG10J封装/规格：DIODE STD SMA 600V 1.5A。您可以下载BYG10J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYG10G-M3/TR，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，该设备提供1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为4μs，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的BYG10G-M3/TR3，包括1.15V@1.5A正向电压Vf Max。如果它们设计用于400V电压DC反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了4μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，400V时电流反向泄漏Vr为1μa，电流平均整流Io为1.5A。
BYG10G-TR，带有VISHAY制造的电路图。BYG10G-TR采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
