9icnet为您提供由DComponents设计和生产的BYG10M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG10M参考价格为0.08320美元。D组件BYG10M封装/规格：ST Rect，1000V，1.5A。您可以下载BYG10M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYG10KHM3/TR3，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AC（SMA）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@800V，该器件提供1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为4μs，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG10K-M3/TR，带用户指南，包括1.15V@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了4μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电流平均整流Io为1.5A。
带有电路图的BYG10K-M3/TR3，包括1.5A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@800V电流反向泄漏Vr下工作。雪崩中使用的二极管类型如数据表注释所示，具有表面安装等安装类型特征，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
BYG10K-TR，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BYG10K-TR采用DO214AC封装，是IC芯片的一部分。
