9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG24J-E3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG24J-E3/TR参考价格为0.56000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG24J-E3/TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 600V 1.5A。您可以下载BYG24J E3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYG24G-M3/TR，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，设备提供1.25V@1.5A电压正向Vf Max。如果，设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为140ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG24G-M3/TR3带用户指南，包括1.25V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及140ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，400V时电流反向泄漏Vr为1μa，电流平均整流Io为1.5A。
BYG24J，带有VISHAY制造的电路图。BYG24J采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
