9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAS19LT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。NSVBAS19LT1G参考价格为0.35000美元。onsemi NSVBAS19LT1G包装/规格：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3。您可以下载NSVBAS19LT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAS116LT3G，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT-23-2（to-236），以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为3μs，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带有用户指南的NSVBAS16WT3G，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max，如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于SC-70-3（SOT323），提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及6ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为SC-70、SOT-323，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为200mA（DC）。
带有电路图的NSVBAS16TT1G，包括200mA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1μa@100V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SC-75、SOT-416封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为6ns，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为SC-75，SOT-416，电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
