9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS8P3LHM3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS8P3LHM3_A/I价格参考$6.66000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS8P3LHM3_A/I封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A。您可以下载SS8P3LHM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS8P3LHM3_A/H，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@30V，该器件提供570mV@8A电压正向Vf Max If，该器件具有30V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为330pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SS8P3LHM3/86A是DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A，包括570mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@30V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为330pF@4V，1MHz。
SS8P3LHM3/87A是二极管肖特基30V 8A TO277A，包括330pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200μa@30V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以eSMPR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr最大值为30V，电压正向Vf最大值为570mV@8A。
