9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RFUH20TJ6SGC9，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFUH20TJ6SGC9价格参考1.93000美元。Rohm Semiconductor RFUH20TJ6SGC9封装/规格：RFUH20T76S是超级快速恢复。您可以下载RFUH20TJ6SGC9英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RFUH10NS4STL带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如LPDS，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@430V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.7V@10A，该设备提供430V电压DC反向Vr Max，该设备具有10A电流平均整流Io，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RFUH10NS6STL是DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS，包括2.8V@10A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于LPDS的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为25ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为10A。
RFUH20NS6STL是DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的LPDS，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为2.8V@20A。
RFUH10TF6S是DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM，包括TO-220NFM供应商设备包，设计用于TO-220-2封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供二极管类型功能，如标准，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及散装包装，该器件还可以用作600V电压DC反向Vr Max。此外，反向恢复时间trr为25ns，该器件在2.8V@10A电压正向Vf Max If下提供，其工作温度结范围为150°C（最大值），电流反向泄漏Vr为10μA@600V，电流平均整流Io为10A。
