9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CURMT104-HF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CURMT104-HF参考价格为0.48000美元。Comchip Technology CURMT104-HF封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H。您可以下载CURMT104-HF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CURMT103-HF是DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H，包括CURMT103系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001058盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123H包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123H，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为150 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为50 ns。
CURMT102-HF是DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123H，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-123H中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件也可以用作SOD-123H封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A（DC），电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
CURMT101-HF是DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H，包括70pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以50ns反向恢复时间trr提供，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SOD-123H，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
