9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAS21AHT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBAS21AHT1G参考价格为0.48000美元。onsemi NSVBAS21AHT1G包装/规格：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323。您可以下载NSVBAS21AHT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAS20LT3G，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT-23-2（to-236），以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
NSVBAS19LT1G是DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在120V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3（to-236）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@100V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
带有电路图的NSVBAS16WT3G，包括200mA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1μa@100V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SC-70、SOT-323封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为6ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为SC-70-3（SOT323），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
