9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N4006，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N4006参考价格0.09000美元。NTE Electronics，Inc 1N4006封装/规格：R-SI 800V 1A。您可以下载1N4006英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4005-TP是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1N40系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.0 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为2us。
1N4005T-G是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于1N4005，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
带电路图的1N4005W A5 1N4005WA5在SOD-123FL封装中提供，是IC芯片的一部分。
