9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES07D-M-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES07D-M-08参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES07D-M-08封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219。您可以下载ES07D-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES07D-GS18是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-219AB封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-219AB（SMF），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为980mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C；其最小工作温度范围是-55°C，1 A时Vf正向电压为0.98 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1.2A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为25ns。
ES07D-GS08是DIODE GEN PURP 200V 1.2A DO219AB，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作980mV。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了0.98 V（1 a时）的正向电压特性，单位重量设计为0.005291盎司，以及DO-219AB（SMF）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备提供25ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-219AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1.2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，电流平均整流Io为1.2A，配置为单一，电容Vr F为4pF@4V，50MHz。
ES07D，带有VISHAY制造的电路图。ES07D采用SOD-123FL封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
