湖南静芯微电子技术有限公司是一家专业提供全芯片高性能ESD/TVS集成设计服务和ESD/TVS/TSS/MOS等分立器件产品的集成电路设计公司。研发团队由经验丰富的分立器件研发留学归国人员组成。 公司获国家知识产权共计51项,其中发明专利4项、实用新型专利18项、集成电路布图登记29项、实审发明专利18项。国家省市级科技项目完成过国家“十二五”重大专项、国家自然科学基金、国家863等项目。2018年至2022年先后获得“国家高新技术企业”认定、湖南省科技进步奖”、“湖南省专精特新小巨人企业”认定、“湖南省技术发明奖”等荣誉。 客户群体覆盖汽车电子、工业控制、消费电子等领域,目前与比亚迪、科力远、怪兽充电、金升阳、联创、海信等知名品牌均有建立深度合作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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种类: Zener 典型反向偏差电压: 30伏 最大钳位电压: 48.4伏 供应商设备包装: DO-214AA(SMB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) 安装类别: 表面安装 | ¥0.20102 | 8640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.20102 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.31145 | 3 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31145 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.23824 | 9930 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23824 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.90175 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.90175 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.61782 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.61782 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05456 | 10550 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05456 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05458 | 5150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05458 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):200mW | ¥0.09999 | 5190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09999 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.06842 | 5000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06842 | 立即购买 加入购物车 |