起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.25285 | 0.25285 |
| 30+ | 0.23413 | 7.02402 |
| 100+ | 0.21538 | 21.53890 |
| 500+ | 0.20228 | 101.14350 |
| 1000+ | 0.18730 | 187.30900 |
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AO3415采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它受到ESD保护。AO3415不含铅（符合ROHS和索尼259规范）。AO3415L是绿色产品订购选项。AO3415和AO3415L在电气上相同。
VDS（V）=-20V
ID=-4 A
RDS（开启）<43mΩ （VGS=-4.5V）
RDS（开启）<54mΩ （VGS=-2.5伏）
RDS（开启）<73mΩ （VGS=-1.8V）
ESD额定值：3000V HBM
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO3400-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A | ¥0.24018 |
| AO3401-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A | ¥0.12624 |
| AO3400-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A | ¥0.13709 |
 | AO3416A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A | ¥0.24843 |
| AO3401CI-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T | ¥0.20198 |
 | AO3442A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.32955 |
| AO3480A(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.35232 |
 | AO3422A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.42748 |
 | AO3409A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A | ¥0.14196 |
 | AO3402A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A | ¥0.18614 |
湖南静芯微电子技术有限公司是一家专业提供全芯片高性能ESD/TVS集成设计服务和ESD/TVS/TSS/MOS等分立器件产品的集成电路设计公司。研发团队由经验丰富的分立器件研发留学归国人员组成。 公司获...
