AO3400-HXY
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.24017 | 0.24017 |
| 10+ | 0.19455 | 1.94559 |
| 30+ | 0.16921 | 5.07648 |
| 150+ | 0.13077 | 19.61565 |
| 450+ | 0.11759 | 52.91820 |
| 1050+ | 0.11049 | 116.02290 |
- 库存: 434280
- 单价: ¥0.24018
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.24
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 5.8A
- 功率(Pd) 1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 825pF@15V
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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AO3400-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3400-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3400-HXY价格参考￥0.240175，你可以下载 AO3400-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3400-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
