AO3480A(UMW)
- 描述:暂无
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.35232 | 0.35232 |
| 10+ | 0.28746 | 2.87463 |
| 30+ | 0.25503 | 7.65111 |
| 300+ | 0.23072 | 69.21690 |
| 600+ | 0.21126 | 126.75660 |
| 900+ | 0.20153 | 181.38060 |
- 库存: 30000
- 单价: ¥0.35232
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.35
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AO3480A(UMW) 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| AO3400-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A | ¥0.24018 |
| AO3401-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A | ¥0.12624 |
| AO3400-ED | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A | ¥0.13709 |
 | AO3416A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A | ¥0.24843 |
| AO3401CI-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T | ¥0.20198 |
 | AO3442A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.32955 |
| AO3480A(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.35232 |
 | AO3422A | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.42748 |
 | AO3409A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A | ¥0.14196 |
 | AO3402A | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A | ¥0.18614 |
AO3480A(UMW)所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3480A(UMW) 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3480A(UMW)价格参考￥0.352324，你可以下载 AO3480A(UMW)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3480A(UMW)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
广东友台半导体 (UMW)
广东友台半导体有限公司（简称UMW），总部位于中国深圳，生产基地位于重庆大足区。公司是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。生产基地面积达12000余平方米，生产和...
