起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.72429 | 0.72429 |
| 10+ | 0.63737 | 6.37375 |
| 100+ | 0.34548 | 34.54860 |
| 500+ | 0.21279 | 106.39800 |
| 1000+ | 0.14507 | 145.07500 |
| 2000+ | 0.12334 | 246.69400 |
| 5000+ | 0.11125 | 556.25500 |
| 10000+ | 0.09676 | 967.65000 |
| 30000+ | 0.08706 | 2611.80000 |
| 50000+ | 0.07988 | 3994.45000 |
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特征
•高可靠性条件下的过热器结构
•无空腔玻璃钝化接头
•快速切换，实现高效率
•低泄漏电流，典型IR小于0.2μA
•高正向浪涌能力
•根据JESD 22-B106，焊料浸入275°C，最大10 s
典型应用
G2栅极CRT和TV的高压整流，缓冲器
相机闪光灯电路。
机械数据
案例：DO-204AL，模制环氧树脂覆盖玻璃本体
模塑化合物符合UL 94 V-0易燃等级
Base P/N-E3-符合RoHS，商业级
终端：哑光镀锡引线，可根据
J-STD-002和JESD 22-B102
E3后缀符合JESD 201 1A级晶须测试
极性：色带表示阴极端
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 1N9C | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | 种类: 螺旋缠绕 材质: 聚酰胺（PA6）、尼龙6 长: 100'（30.48米） 特点: 耐酸、耐化学、自熄 色彩/颜色: 自然的 | ¥402.3431 |
 | 1N973A | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 33伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥14.4858 |
 | 1N975B-1 | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 39伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.44951 |
 | 1N971BE3/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 27伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥18.25211 |
 | 1N970B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 24伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N984B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 91 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N966BE3 | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 16伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N980B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N967BE3/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥24.87951 |
 | 1N959B TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥0.56806 |
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