9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V8P10HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V8P10HM3_A/H参考价格为0.73000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V8P10HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A。您可以下载V8P10HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V8P10HM3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为70μA@100V，该器件提供680mV@8A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V8P10HE3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括680mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计用于100V直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR、TMBSR以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为70μa@100V，电流平均整流Io为8A。
V8P10-E3/87A是二极管肖特基100V 8A TO277A，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作70μa，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，该系列是eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为680mV@8A。
