9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N914UR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N914UR参考价格2.14000美元。Microchip Technology 1N914UR封装/规格：DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA。您可以下载1N914UR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N914UR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N914TAP是DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@75V，该器件提供1V@10mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N914TR是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为4ns，以及切割带（CT）替代包装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N914-TP是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，它们设计为在75V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装盒，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-35供应商设备包，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
