9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RFUH20TB4S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFUH20TB4S参考价格为1.62000美元。Rohm Semiconductor RFUH20TB4S封装/规格：DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN。您可以下载RFUH20TB4S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RFUH10NS6STL是DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如LPDS，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.8V@10A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有10A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RFUH20NS6STL是DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS，包括2.8V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于LPDS的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为35ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为20A。
RFUH10TF6S是DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220NFM，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为2.8V@10A。
