9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS8PH10-M3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS8PH10-M3/87A参考价格为0.71000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS8PH10-M3/87A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A。您可以下载SS8PH10-M3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS8PH10-M3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-277，3-PowerDFN封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用TO-277A（SMPC）供应商设备包提供，该设备具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@8A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为140pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.9 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
SS8PH10HM3/86A是DIODE SCHOTKY 100V 8A TO277A，包括900mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为140pF@4V，1MHz。
SS8PH10HM3/87A是二极管肖特基100V 8A TO277A，包括140pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@100V，提供二极管类型功能，如肖特基，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以eSMPR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为900mV@8A。
