9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的S1KB-13-F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S1KB-13-F参考价格为0.40000美元。Diodes Incorporated S1KB-13-F封装/规格:DIODE GEN PURP 800V 1A SMB。您可以下载S1KB-13-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如S1KB-13-F价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
S1KA-E3/61T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于DO-214AC、SMA封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如DO-214AA(SMA),速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io)以及标准二极管类型,该器件还可以用作3μA@800V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,该器件提供800V电压直流反向Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为1μs,电容Vr F为8pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1KB-13是DIODE GEN PURP 800V 1A SMB,包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为3μs,以及Digi-ReelR封装,该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@800V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
S1KB是台湾半导体制造的“整流器1A”。S1KB采用DO214A封装,是二极管、整流器-阵列的一部分,并支持“整流器1A、整流器1A、800V、Glass Pass SMB Rect”。