9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的UF600D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UF600D参考价格为0.33630美元。Diotec Semiconductor UF600D封装/规格：DIODE UFR D8X7.5 200V 6A。您可以下载UF600D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UF5A400D1是DIODE GEN PURP 400V 5A TO252-3，包括UF5A400系列，它们设计为使用管替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-252-3中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，该设备提供1.4V@5A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为50pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
UF5A600D1是DIODE GEN PURP 600V 5A TO252-3，包括1.9V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-252-3的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于UF5A600，以及30ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作管替代包装包装。此外，封装外壳为TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为50pF@10V，1MHz。
UF5A400D1-13是DIODE GEN PURP 400V 5A TO252-3，包括50pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供35ns反向恢复时间trr，设备具有UF5A400系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-252-3，电压DC反向Vr最大值为400V，电压正向Vf最大值为1.4V@5A。
UF5A600D1-13是DIODE GEN PURP 600V 5A TO252-3，包括TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，它们设计用于与TO-252-3供应商设备封装一起工作。数据表说明中显示了用于磁带和卷盘（TR）的封装，提供了表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，直流反向电压Vr最大值为600V，该器件以5A电流平均整流Io提供，该器件在10V时具有50pF，电容Vr F为1MHz，反向恢复时间trr为30ns，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf最大值If为1.9V@5A。
