9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3JHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3JHE3_A/H参考价格为0.51000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3JHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载S3JHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S3JHE3_A/H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S3JHE3_A/H，带有引脚细节，包括S3J系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在600V时具有10μa的反向漏电Vr，正向电压Vf Max If为1.15V@2.5A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为2.5 us。
S3JHE3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3JHE3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括60pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供2.5μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.15V@2.5A。
