9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG10J-E3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG10J-E3/TR参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG10J-E3/TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 600V 1.5A。您可以下载BYG10J-E3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYG10J/TR为DIODE AVALANCHE 600V 1.5A，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-214AC SMA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及雪崩二极管类型，该器件还可以用作1μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.15V@1.5A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有1.5A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为4μs，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG10G-TR，带有VISHAY制造的用户指南。BYG10G-TR采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
BYG10J，带有VISHAY制造的电路图。BYG10J采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
