9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1KHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1KHE3_A/I价格参考0.06653美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1KHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC。您可以下载S1KHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1KFP带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于无恢复时间整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-55 C至+150 C，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为18pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为800V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1.2A，则最大浪涌电流为50A。
S1KHE3/5AT是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1KHE3/61T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
