9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVRB521S30T5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVRB521S30T5G价格参考0.06716美元。onsemi NSVRB521S30T5G包装/规格：肖特基二极管SOD523。您可以下载NSVRB521S30T5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVR05F40NXT5G，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于2-XDFN，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及2-DSN（1x.60）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为肖特基二极管，该器件提供75μA@40V电流反向泄漏Vr，该器件具有460mV@500mA电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为500mA（DC），电容Vr F为35pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为460 mV，Ir反向电流为75 uA，If正向电流为500 mA，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为10 A。
带有用户指南的NSVR0620P2T5G，包括520mV@500mA正向电压Vf Max。如果设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-923中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为SOD-923，其工作温度结范围为-55°C~125°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@220V，电流平均整流Io为500mA（DC），电容Vr F为12pF@1V，1MHz。
带有电路图的NSVR1020MW2T1G，包括29pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于40μa@15V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SOD-323，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为540mV@1A。
