9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N3600，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3600参考价格$100000。NTE Electronics，Inc 1N3600封装/规格：D-SI.001A。您可以下载1N3600English数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N3600价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N3595TR是DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-35等供应商设备包装功能，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可用作1nA@125V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@200mA，该器件提供150V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为8pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N3595US是DIODE GEN PURP 4A DO35，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为与DO-35供应商设备包一起运行，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如3μs，包装设计为散装工作，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有1nA@125V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为4A（DC）。
1N3595UR-1是DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213，包括150MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在125V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备以小信号=速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-213AA，电压DC反向Vr Max为125V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
