9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的S3K-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3K-TP价格参考值0.50000美元。Micro Commercial Co S3K-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB。您可以下载S3K-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3K-M3/57T是DIODE GPP 3A 800V DO-214AB，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-214AA、SMC，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A B（SMC），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@800V，该器件提供1.15V@2.5A电压正向Vf Max If，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S3KHE3_A/I，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计为在S3K中工作，以及2.5μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
带有电路图的S3K-M3/9AT，包括60pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供2.5μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A。
