9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的UG06DHR0G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG06DHR0G参考价格为0.09649美元。台湾半导体公司UG06DHR0G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1。您可以下载UG06DHR0G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UG06D-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007125盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于MPG06、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为950mV@600mA，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为600mA，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为0.6 A，最大浪涌电流为40A，恢复时间为25ns。
UG06C-E3/54是DIODE GEN PURP 150V 600MA MPG06，包括950mV@600MA电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为25ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作MPG06轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为600mA，电容Vr F为9pF@4V，1MHz。
UG06D/54带有电路图，包括9pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于600mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该装置也可用作MPG06轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供25ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为MPG06，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为950mV@600mA。
UG06D是由台湾半导体制造的“整流器0”。UG06D采用SMD封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持“整流器0、整流器0,6A、200V、标准玻璃通ULTRAFAST整流器”。
