9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG24G-M3/TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG24G-M3/TR3参考价格为0.12227美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG24G-M3/TR3封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 1.5A。您可以下载BYG24G/M3/TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYG24GHM3/TR，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，设备提供1.25V@1.5A电压正向Vf Max。如果，设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为140ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG24GHM3/TR3带用户指南，包括1.25V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及140ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，400V时电流反向泄漏Vr为1μa，电流平均整流Io为1.5A。
BYG24G-M3/TR，带电路图，包括1.5A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC，SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为140ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@1.5A。
