9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U1C-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U1C-E3/5AT参考价格为0.09799美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U1C-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC。您可以下载U1C-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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U1B-E3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计为在DO-214AC、SMA以及表面安装型中工作，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为24ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.92 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为15 ns。
U1B-E3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括920mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为24ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A。
U1C，电路图由MICREL制造。是IC芯片的一部分。
