9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES07D-M-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES07D-M-18参考价格0.13448美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES07D-M-18封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219。您可以下载ES07D-M-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES07B-GS18是DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.005291盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-219AB，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为980mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为4pF@4V，50MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，1 A时Vf正向电压为0.98 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1.2 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为25ns。
ES07B-M-08是DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219，包括980mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-219AB（SMF）的供应商设备包，该DO-219A提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-219AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
带有电路图的ES07B-M-18，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计为在500mA电流平均整流Io下工作，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计为在表面安装中工作，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-219AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压直流反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为980mV@1A。
