9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG21MHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG21MHE3_A/I参考价格为0.14765美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG21MHE3_A/I封装/规格：DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A DO214AC。您可以下载BYG21MHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG21M-E3/TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BYG21M-E3/TR3，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC、SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以单配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.6V@1.5A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为120ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为120ns。
BYG21M-E3/TR3是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.6V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.6 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为120ns，该设备以120ns恢复时间提供，该设备具有产品快速恢复整流器，零件别名为BYG21M-E3/TR，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@1000V，电流平均整流Io为1.5A，配置为单一。
BYG21M-E3，带有VISHAY制造的电路图。BYG21M-E3采用DO-214封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
