9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGL34JHE3/83，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGL34JHE3/83参考价格为0.14850美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGL34JHE3/83封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213。您可以下载RGL34JHE3/83英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGL34J-E3/98是DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AA（玻璃），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-213A a（GL34），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件提供1.3V@500mA电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGL34J-E3/83是DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213，包括1.3V@500MA正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-213AA（GL34），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在SUPERECTIERR中工作，以及250ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
RGL34J-E3/82是VISHAY制造的600V 0.5A 2引脚DO-213AA T/R二极管开关。RGL34J-E3/82采用LL34封装，是IC芯片的一部分，支持600V 0.5A 2引脚DO-213AA T/R二极管开关。
