9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG10J-M3/TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG10J-M3/TR3参考价格为0.14850美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG10J-M3/TR3封装/规格：DIODE AVLANCHE 600V 1.5A。您可以下载BYG10J-M3/TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG10G-M3/TR3，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AC（SMA）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，该设备提供1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果，该设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为4μs，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG10J/TR为DIODE AVLANCHE 600V 1.5A，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供标准恢复>500ns、>200mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为在4μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1.5A。
BYG10G-TR，带有VISHAY制造的电路图。BYG10G-TR采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
BYG10J，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BYG10J采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
