9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG10K-M3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG10K-M3/TR参考价格为0.14850美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG10K-M3/TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 800V 1.5A。您可以下载BYG10K-M3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG10KHE3/TR3是DIODE AVLANCHE 800V 1.5A，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为4μs，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为4000 ns。
BYG10KHM3/TR，带用户指南，包括1.15V@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在800V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了4μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电流平均整流Io为1.5A。
BYG10KHM3/TR3，带电路图，包括1.5A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
