9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S4PJ-M3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S4PJ-M3/87A参考价格为0.17506美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S4PJ-M3/87A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A。您可以下载S4PJ-M3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S4PJ-M3/86A是DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-277，3-PowerDFN封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-277A（SMPC），该设备采用单双阳极配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@4A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为4A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
带用户指南的S4PJHM3_A/H，包括1.1V@4A电压正向Vf Max，如果设计用于600V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于to-277A（SMPC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及2.5μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为4A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
S4PJHM3_A/I带有电路图，包括30pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于4A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μA@600V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该设备也可以用作TO-277、3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供2.5μs反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压直流反向Vr最大值为600V，电压正向Vf最大值为1.1V@4A。
