9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG22DHM3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG22DHM3_A/I参考价格为0.22506美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG22DHM3_A/I封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2A DO214AC。您可以下载BYG22DHM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如BYG22DHM3_A/I价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYG22DHE3/TR3是DIODE AVLANCHE 200V 2A DO214AC，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计为在DO-214AC、SMA、，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为25 ns。
BYG22DHE3/TR是DIODE AVLANCHE 200V 2A DO214AC，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备提供25ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
BYG22D-HE3/61T，带有VISHAY制造的电路图。BYG22D-HE3/61T采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
