9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的6A02B-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。6A02B-G参考价格为0.22610美元。Comchip Technology 6A02B-G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 6A R6。您可以下载6A02B-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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6A01B-G是DIODE GEN PURP 100V 6A R6，包括6A01系列，它们设计用于散装替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于R6，轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包装设计用于R-6，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1V@6A电压正向Vf Max If，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为100pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 125°C。
6A01-G是DIODE GEN PURP 100V 6A R6，包括1V@6A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于R-6的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计为在6A01中运行，该器件也可用作R6，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为100pF@4V，1MHz。
6A005-G是DIODE GEN PURP 50V 6A R6，包括100pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~125°C，该装置也可作为R6轴向包装箱使用。此外，该包装为散装替代包装，该设备在6A005系列中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为R-6，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@6A。
