9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V8P45-M3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V8P45-M3/87A参考价格为0.26532美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V8P45-M3/87A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A。您可以下载V8P45-M3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V8P20-M3/86A，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为250μA@200V，该器件提供1.4V@8A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.2A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V8P12-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 8A 120V TO-277A，包括840mV@8A正向电压Vf Max。如果设计为在120V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于TO-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为300μa@120V，电流平均整流Io为8A。
带电路图的V8P20-M3/87A，包括2.2A电流平均整流Io，它们设计为在250μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-277A（SMPC）供应商设备包中提供，该设备具有200V的电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为1.4V@8A。
