9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S4PBHM3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S4PBHM3_A/I参考价格0.19800美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S4PBHM3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A。您可以下载S4PBHM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S4PBHM3_A/H，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，该包装盒提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在to-277A（SMPC）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.1V@4A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
S4PBHM3/86A是DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A，包括1.1V@4A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2.5μs反向恢复时间trr之外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为4A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
S4PBHM3/87A是DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A，包括30pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于4A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压直流反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为1.1V@4A。
