9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG21MHM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG21MHM3_A/H参考价格为0.15675美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG21MHM3_A/H封装/规格：DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A DO214AC。您可以下载BYG21MHM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG21M-E3/TR3是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，零件别名如数据表注释所示，用于BYG21M-E3/TR，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC、SMA封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以单配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.6V@1.5A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为120ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为120ns。
BYG21MHE3/TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.6V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.6 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为120ns，设备提供120 ns恢复时间，设备具有产品快速恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@1000V，电流平均整流Io为1.5A，配置为单一。
BYG21MHE3/TR3是二极管AVLANCHE 1KV 1.5A，包括单一配置，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@1000V，提供二极管类型的功能，如雪崩，如果正向电流设计用于1.5 a，以及1 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为30 A，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55°C~150°C，封装盒为DO-214AC，SMA，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为120 ns，反向恢复时间trr为120ns，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），单位重量为0.00739 oz，Vf正向电压为1.6V，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.6V@1.5A，Vr反向电压为1000V。
