9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U3B-M3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U3B-M3/57T参考价格为0.20031美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U3B-M3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB。您可以下载U3B-M3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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U3B-E3/57T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计为在DO-214AB、SMC以及表面安装型中工作，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为20ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.9 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为30 ns。
U3B-E3/9AT是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB，包括100V Vr反向电压，它们设计为在900mV@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了100V中使用的直流反向电压Vr Max，提供0.9 V等正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为20ns，该设备在30 ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
U3A和电路图U3A在SSOP-8P封装中可用，是IC芯片的一部分。
