9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG22BHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG22BHE3_A/H参考价格为0.18755美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG22BHE3_A/H封装/规格：DIODE AVLANCHE 100V 2A DO214AC。您可以下载BYG22BHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG22B-E3/TR是DIODE AVLANCHE 100V 2A DO214AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于BYG22B-E3/TR3，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为25ns。
BYG22B-E3/TR3是DIODE AVLANCHE 100V 2A DO214AC，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向Vr Max，该100V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备提供25ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，零件别名为BYG22B-E3/TR，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，反向泄漏电流Vr为1μA@100V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
BYG22B，带有VISHAY制造的电路图。BYG22B采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
