9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG23MHM3_A/I,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG23MHM3_A/I价格参考值0.16005美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG23MHM3_A/I封装/规格:DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A DO214AC。您可以下载BYG23MHM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG23M-E3/TR3是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A,其中包括超快恢复整流器产品,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,零件别名如数据表注释所示,用于BYG23M-E3/TR,提供单位重量功能,如0.003739盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AC、SMA包装盒,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为DO-214AC(SMA),该设备为单配置,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为5μa@1000V,电压正向Vf Max If为1.7V@1A,电压直流反向Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为1.5A,反向恢复时间trr为75ns,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,1 A时Vf正向电压为1.7 V,Vr反向电压为1000 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1.5 A,最大浪涌电流为30A,恢复时间为75ns。
BYG23MHE3/TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A,包括1000 V Vr反向电压,它们设计为在1A电压正向Vf最大值下工作1.7V。如果数据表注释中显示了用于1000V(1KV)的直流反向Vr最大值,该电压正向电压特性如1 a时1.7 V,单位重量设计为0.003739盎司,以及DO-214AC(SMA)供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=20mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为75ns,该设备以75ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-214AC,SMA,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为30 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1.5 A,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为5μA@1000V,电流平均整流Io为1.5A,配置为单一。
BYG23MHE3/TR3是二极管AVLANCHE 1KV 1.5A,包括单一配置,它们设计用于1.5A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@1000V,提供二极管类型的功能,如雪崩,如果正向电流设计用于1.5 a,以及5 uA Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150℃。此外,最大浪涌电流为30 A,最小工作温度范围是-55℃,该器件具有安装类型的表面安装,安装类型为SMD/SMT,其工作温度结范围为-55°C~150°C,封装盒为DO-214AC,SMA,封装为胶带和卷轴(TR)交替封装,产品为超快恢复整流器,恢复时间为75ns,反向恢复时间trr为75ns;速度为快速恢复=20mA(Io);供应商设备包为DO-214AC(SMA),单位重量为0.003739 oz,1A时Vf正向电压为1.7V,直流反向Vr Max为1000V(1kV),电压正向Vf Max If为1.7V@1A,Vr反向电压为1000V。