9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYX83TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYX83TR参考价格为0.25740美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYX83TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 2A SOD57。您可以下载BYX83TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYX82TR是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.013016盎司的包装，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为4μs，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V，电流为1 A，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为4000ns。
BYX82TAP是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的直流反向电压Vr Max，该200V提供了1 a时1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备的恢复时间为4000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
BYX83TAP是二极管AVLANCHE 400V 2A SOD57，包括20pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于2A的电流平均整流Io，该2A提供电流反向泄漏Vr特性，例如1μa@400V，二极管类型设计用于雪崩，该装置也可作为1 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+175℃，该装置提供50 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度结区范围为-55℃~175℃，包装箱为SOD-57，轴向和包装为磁带盒（TB）交替包装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为4000 ns，反向恢复时间trr为4μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为SOD-57，单位重量为0.013016 oz，1 A时Vf正向电压为1 V，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1V@1A，Vr反向电压为400V。
