9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V8P6HM3_A/H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。V8P6HM3_A/H参考价格为0.29188美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V8P6HM3_A/H封装/规格:DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A。您可以下载V8P6HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V8P45-M3/86A,带有引脚细节,包括eSMPR、TMBSR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于to-277A(SMPC),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作肖特基二极管型。此外,电流反向泄漏Vr为600μA@45V,该器件提供580mV@8A电压正向Vf Max。如果,该器件具有45V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为4.3A,其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带用户指南的V8P45-M3/87A,包括580mV@8A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-277A(SMPC)的供应商设备包,该产品提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计用于eSMPR、TMBSR以及磁带和卷轴(TR)替代包装,该器件也可用作TO-277,3功率DFN封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为600μa@45V,电流平均整流Io为4.3A。
带电路图的V8P20-M3/87A,包括2.2A电流平均整流Io,它们设计为在250μa@200V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-277,3-PowerDFN封装外壳,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,速度是快速恢复=200mA(Io),该设备在TO-277A(SMPC)供应商设备包中提供,该设备具有200V的电压DC反向Vr Max,电压正向Vf Max If为1.4V@8A。